- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/40 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région de circuit périphérique
Détention brevets de la classe H10B 41/40
Brevets de cette classe: 158
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
69 |
| Monolithic 3D Inc. | 270 |
19 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
15 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
10 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
9 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
9 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
5 |
| Schottky Lsi, Inc. | 19 |
3 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 583 |
3 |
| Western Digital Technologies, Inc. | 1043 |
2 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
2 |
| Winbond Electronics Corp. | 1173 |
2 |
| Renesas Electronics Corporation | 6305 |
1 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 100781 |
1 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
1 |
| Besang, Inc. | 17 |
1 |
| FlashSilicon Incorporation | 24 |
1 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 678 |
1 |
| Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | 155 |
1 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
1 |
| Autres propriétaires | 2 |